說起碳化硅晶片，大家也許會覺得很陌生。但在我們熟知的電動汽車和5G通信中，它卻發(fā)揮著舉足輕重的作用。5G之所以速度快，是因為它有一顆非常強大的心臟，這個心臟依賴的就是一片薄如紙的碳化硅晶片。雖然從外表看只是個小圓片，但作為目前全球最先進的第三代半導體材料，碳化硅晶片具有其他材料不具備的諸多優(yōu)點，是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底。除電動汽車、5G通信外，在國防、航空航天等領域，碳化硅晶片也有著廣闊的應用前景，它的研究和應用極具戰(zhàn)略意義，有著不可替代的優(yōu)勢，被視作國家新一代信息技術(shù)核心競爭力的重要支撐。5月12日，習近平總書記來到山西轉(zhuǎn)型綜合改革示范區(qū)政務服務中心改革創(chuàng)新展廳，了解示范區(qū)改革創(chuàng)新發(fā)展情況。位于示范區(qū)內(nèi)的中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地，就是全國最大生產(chǎn)規(guī)模的碳化硅生產(chǎn)基地。

從長期依賴進口、被國外“卡脖子”，到掌握批量生產(chǎn)技術(shù)、實現(xiàn)完全自主供應，近年來，中國的碳化硅研制與生產(chǎn)成效卓著。這小小的晶片里蘊含著哪些創(chuàng)新技術(shù)？研發(fā)制造過程中又運用了哪些高超工藝？讓我們一探究竟。

晶片有什么用途？

每生產(chǎn)一輛電動汽車，至少要消耗一片碳化硅

厚度0.5毫米，約為5張A4紙的厚度；直徑4英寸或6英寸，和一張CD光盤差不多。這樣一個薄薄的圓片，就是碳化硅晶片。而就是這樣一個薄片，市場售價卻在2000美元左右，還經(jīng)常是“一片難求”。

碳化硅晶片為何這么搶手？這還要從碳化硅這一材料說起。

碳化硅材料作為成熟的第三代半導體材料，具有耐高溫、大功率、高頻等天然優(yōu)勢，在新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)電機、5G通信等領域展現(xiàn)出極大的應用潛力，在許多戰(zhàn)略行業(yè)都有重要應用價值。與普通硅相比，碳化硅器件的耐壓性是同等硅器件的10倍。同時，碳化硅材料對電力的能耗極低，是一種理想的節(jié)能材料。如果按照年產(chǎn)40萬片碳化硅晶片算，僅僅應用在照明領域，每年減耗的電能就相當于節(jié)省2600萬噸標準煤。

記者了解到，目前，碳化硅制成的晶片主要應用在兩個方面。一個是作為襯底用于制作射頻器件，比如今年政府工作報告提到的新基建中的5G基站建設、城際高速鐵路、新能源汽車充電樁等。就5G基站建設來說，5G之所以傳輸速度快，是因為它有強大的5G芯片。而碳化硅晶片，就是5G芯片最理想的襯底。“現(xiàn)在咱們家里邊也有5G的一些小路由器，但它只是在室內(nèi)，輻射距離很短，5G基站的輻射范圍至少要達到幾公里。這么高的功率，用碳化硅替代硅做射頻器件，就可以讓設備的體積做得更小，還能降低能量損耗、增加設備在惡劣環(huán)境下的可靠性。”山西碳化硅生產(chǎn)企業(yè)——中國電子科技集團公司（以下簡稱中電科）技術(shù)總監(jiān)魏汝省介紹道。

碳化硅晶片的另一個作用是用于制造電力電子器件，比如三極管，主要的應用領域是電動汽車。魏汝省表示：“目前，電動汽車的續(xù)航還是個問題。如果用上碳化硅晶片的話，就能在電池不變的情況下，使汽車的續(xù)航力增加10%左右。雖然碳化硅在電動汽車上的應用才剛剛起步，尚在開發(fā)中，但每生產(chǎn)一輛電動汽車，至少要消耗一片碳化硅，所以發(fā)展前景廣闊。”

除了功能強大，碳化硅晶片之所以如此珍貴的另一個更為重要的原因，是碳化硅器件對工藝要求很高。其中，高穩(wěn)定性的長晶工藝技術(shù)是其核心，原來只有美國等少數(shù)發(fā)達國家掌握，全球也僅有極少數(shù)企業(yè)能商業(yè)化量產(chǎn)。我國的碳化硅晶體研究起步較晚，20世紀90年代末才剛剛開始。但近年來，我國在碳化硅晶片領域奮力追趕，從基本原理研究和基礎實驗做起，逐漸掌握了碳化硅晶片技術(shù)，一步一步，從實驗室走向了產(chǎn)業(yè)化。2018年，中電科二所歷經(jīng)11年艱苦攻關(guān)，在國內(nèi)率先完成4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底材料的工程化和6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的研發(fā)，一舉突破國外對我國碳化硅晶體生長技術(shù)的長期封鎖。如今，國內(nèi)已經(jīng)實現(xiàn)了6英寸碳化硅晶片和外延片的研制，晶體質(zhì)量接近國際水平。

晶片制造難在哪里？

晶體中連頭發(fā)絲幾十分之一細的微管都不能有

“碳化硅具有十分穩(wěn)定的特性，所以在一些惡劣環(huán)境下仍可穩(wěn)定工作。也正是因為穩(wěn)定的化學鍵，碳化硅生產(chǎn)的技術(shù)門檻非常高。”談起碳化硅晶片研制之難，中國科學院半導體研究所副所長張韻列舉了以下幾個方面，“碳化硅晶錠生長條件苛刻，需要高溫（~2600℃）和高壓（>350MPa）生長環(huán)境；晶體生長速度緩慢，產(chǎn)能有限，質(zhì)量也相對不穩(wěn)定；受到晶片生長爐尺寸限制，束縛了晶錠尺寸；碳化硅屬于硬脆材料，硬度僅次于金剛石，切割難度大，研磨精度難控制。”

要想生產(chǎn)出高質(zhì)量的碳化硅晶片，必須攻克這些技術(shù)難關(guān)。“咱們國內(nèi)就射頻器件方面一年就有10萬片的需求量，國外又對此類產(chǎn)品封鎖禁運，核心技術(shù)花錢是買不來的，只有自力更生，才能徹底解決被‘卡脖子’的問題。”中電科總經(jīng)理李斌向記者介紹了碳化硅晶片的復雜生產(chǎn)過程，“把高純度的碳化硅粉料放到長晶爐里加熱到2000多攝氏度，讓顆粒直接汽化，再控制它重新結(jié)晶，長成一個直徑為4英寸或6英寸的圓餅狀晶錠。之后，我們用很多根直徑僅0.18微米的金剛石線，同時切下去，把晶錠切成一片一片的圓片。每一片圓片再放到研磨設備里，把兩邊磨平，最后進行拋光，得到透明玻璃片一樣的晶片。”

目前，生產(chǎn)碳化硅晶片的兩大關(guān)鍵技術(shù)是晶體生長和晶片的切割拋光。張韻表示，上游企業(yè)所生產(chǎn)的晶片尺寸和質(zhì)量會影響下游碳化硅器件的性能、成品率及成本。只有把襯底質(zhì)量做好了、成本降低了，才能讓下游的科研機構(gòu)或者企業(yè)不再束手束腳，有更多的機會去多做器件級研究。

記者了解到，一個直徑4英寸的晶片一次可做成1000個芯片，而6英寸的晶片一次可做成3000個芯片，所以直徑大的晶片更有優(yōu)勢。從2英寸到6英寸，其中的關(guān)鍵是擴晶技術(shù)。“碳化硅晶片是由一個種子開始一層層生長起來的，從2英寸長到3英寸再到6英寸。在這個生長過程中，晶體很容易出現(xiàn)缺陷。”中電科生產(chǎn)主管毛開禮說，“我們的一個指標叫微管，就是晶體中出現(xiàn)的大概只有頭發(fā)絲幾十分之一細的一個管狀孔洞，眼睛是看不到的。一旦出現(xiàn)微管，整個晶體就不合格了。由于溫度太高，沒辦法進行人工干預，所以整個生長過程就如同‘蒙眼繡花’，這恰恰是晶片最核心的技術(shù)。解決這個技術(shù)難題，我們用了七八年的時間。”

碳化硅晶片的加工也是一個艱難過程。毛開禮表示，晶片的粗糙度要求是表面起伏小于0.1納米，國內(nèi)現(xiàn)在是采用化學和機械聯(lián)合的方式進行拋光。“從技術(shù)上來說，我們的一個圓片原來切完的話，可能是700-800微米厚，而最終產(chǎn)品要求是500微米，所以相當于要磨掉幾百微米。現(xiàn)在我們通過技術(shù)改進，切完大概就是550微米，只需磨掉50微米左右，整個生產(chǎn)成本有了大幅降低。”

晶片量產(chǎn)前景如何？

600臺長晶爐、18萬片年產(chǎn)量，徹底擺脫進口依賴

今年3月，中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地在山西轉(zhuǎn)型綜合改革示范區(qū)正式投產(chǎn)，第一批設備正式啟動?；匾黄陧椖靠扇菁{600臺碳化硅單晶生長爐，項目建成后將具備年產(chǎn)10萬片4-6英寸N型碳化硅單晶晶片、5萬片4-6英寸高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的生產(chǎn)能力，是目前國內(nèi)最大的碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地。這一基地的啟動，將徹底打破國外對我國碳化硅封鎖的局面，實現(xiàn)碳化硅的完全自主供應。

在基地的碳化硅生產(chǎn)車間，白色的長晶爐一字排開，碳化硅晶片正在里面安靜生長。李斌介紹：“現(xiàn)在，咱們所使用的粉料合成設備、長晶爐，都是自己研發(fā)、自己生產(chǎn)的全國產(chǎn)化的設備。設備的配套產(chǎn)品和功能元器件能滿足長期、穩(wěn)定、可靠使用的要求，同時節(jié)能效果好，具有連續(xù)工作高穩(wěn)定性和良好精度保持性。”

對于國內(nèi)半導體領域來說，產(chǎn)業(yè)化規(guī)模效應，不僅降低了碳化硅晶片的成本，也不斷促使碳化硅晶片質(zhì)量提升。據(jù)李斌介紹，目前國際上碳化硅晶片的合格率最高是70%-80%，而原來國內(nèi)實驗室生產(chǎn)的碳化硅晶片的合格率僅有30%。但在碳化硅產(chǎn)業(yè)基地，這個合格率可以達到65%。

實現(xiàn)這樣高的合格率，一個是靠先進的設備，一個是靠管理。毛開禮介紹：“我們把所有的工藝分成若干段，增加了大量的一線工人，每段每個人只干這一件事情，不僅效率會提高，而且出錯率也大幅降低，因為原來一個人要參與前前后后大概有三四十道工序，不利于專業(yè)化，出錯率就會很高。”

目前，基地已經(jīng)實現(xiàn)4英寸晶片的大批量產(chǎn)，6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經(jīng)開始工程化驗證，為客戶提供小批量的產(chǎn)品試用，預計年底達到產(chǎn)業(yè)化應用與國際水平相當。展望未來，李斌信心滿滿地說，“在碳化硅領域，我們要緊跟國際的腳步，因為目前我國在第三代半導體材料上跟國際的差距相對較小，我們要保證不能掉隊。習近平總書記說過，核心技術(shù)靠化緣是要不來的。在關(guān)鍵領域、卡脖子的地方要下大功夫?，F(xiàn)在我們在實現(xiàn)迅速研發(fā)的同時也進一步開展量產(chǎn)，三年內(nèi)整個項目要達到18萬片每年的產(chǎn)能。另外，我們目前在進行8英寸晶片的研究，希望三年之后，我們能有8英寸的樣片出來。因為晶片是整個碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的上游，要走到器件研究的前面。”